Chine SBD au carbure de silicium

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  SBD à carbure de silicium industriel polyvalent pour soudage

  Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance

  Lumière élevée:Les diodes SiC peuvent résister à des tensions beaucoup plus élevées avant de se décomposer, ce qui

  Résistance à la chaleur:Résistance aux températures élevées

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  Diodes de barrière à faible résistance au carbure de silicium Schottky pour équipements audio

  Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance

  Efficacité:Haute efficacité

  Matériel:Carbure de silicium

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  Cuisinière à induction SBD au carbure de silicium pour améliorer l'efficacité de la conversion de puissance

  Le pouvoir:Le pouvoir suprême

  Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance

  Fréquence:Fréquence élevée

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  Diode rectificateur SiC Schottky à petit volume pour climatiseur

  Matériel:Carbure de silicium

  Lumière élevée:Les diodes Schottky au carbure de silicium et les MOSFET au carbure de silicium jouent un rôle essen

  Fréquence:Fréquence élevée

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  SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

  Type de dispositif:Diode de barrière Sic Schottky

  Vitesse de changement:Commutation à grande vitesse

  Applications:SMPS, onduleur solaire, centre de données, alimentation

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  Diodes de barrière de carbure de silicium à haute fréquence Schottky pour ventilateur industriel

  Efficacité:Haute efficacité

  Lumière élevée:Les diodes de carbure de silicium sont plus stables dans des conditions de température élevée et peu

  Le pouvoir:Le pouvoir suprême

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  SBD de carbure de silicium résistant à la chaleur pour l'électronique de fréquence et de puissance

  Résistance à la chaleur:Résistance aux températures élevées

  Lumière élevée:Les diodes de carbure de silicium se distinguent par leur tension de rupture élevée, leur faible cha

  Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance

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  Diodes au carbure de silicium de performance stable TO-220AC TO-247AC Pour cuisinière électrique

  Lumière élevée:Le carbure de silicium a un écart de bande plus large (3,26 eV) que le silicium, ce qui rend la diod

  Matériel:Carbure de silicium

  Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance

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  Dispositifs discrets de puissance Carbure de silicium SBD TO-220AC Pour l'éclairage LED

  Le pouvoir:Le pouvoir suprême

  Lumière élevée:Le carbure de silicium est l'un des matériaux de substrat des premières diodes électroluminescentes

  Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance

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