Chine Semi-conducteurs à haute puissance

• 

  11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET à haute puissance pour le chargeur de commutation

  Identifiant:11A

  VDSS:Pour les appareils électriques

  Le type RDSON VGS=10V:340 mΩ

  Contactez
• 

  Semi-conducteurs à haute tension de type N à haute puissance à faible fuite

  Résistance à la température:Résistance aux températures élevées

  Le type:N

  Lumière élevée:Les semi-conducteurs de puissance haute tension se caractérisent par leur capacité à gérer efficacem

  Contactez
• 

  TO-220F Transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de métal 15A 600V 274mΩ

  Identifiant:15A

  VDSS:600 V

  Le type RDSON VGS=10V:274 mΩ

  Contactez
• 

  Semi-conducteurs à haute puissance à basse commutation 15A 650V 238mΩ Pour les convertisseurs CC-DC

  Identifiant:15A

  Tension de Drain-source:Pour les appareils électriques

  Le type RDSON VGS=10V:238 mΩ

  Contactez
• 

  20A 650V 150mΩ MOS de refroidissement pour les alimentations en mode commuté

  Identifiant:20A

  Tension de Drain-source:Pour les appareils électriques

  Le type RDSON VGS=10V:150mΩ

  Contactez
• 

  19A 600V 160mΩ semi-conducteurs à haute puissance pour alimentation industrielle

  Identifiant:19A

  Tension de Drain-source:600 V

  Le type RDSON VGS=10V:160 mΩ

  Contactez
• 

  Semi-conducteurs à haute tension de canal N avec une faible capacité de jonction de fuite

  Le type:N

  Résistance à la température:Résistance aux températures élevées

  Capacité de jonction:Faible capacité de jonction

  Contactez
• 

  TO-252 Surface Mount High Power Semiconductor 5A 500V 1.33Ω Pour le sèche-cheveux

  Identifiant:5A

  Tension de Drain-source:Pour les appareils électriques

  Le type RDSON VGS=10V:1.33Ω

  Contactez
• 

  Transistor à haute tension de type N TO-220F à faible capacité de jonction

  Résistance à la température:Résistance aux températures élevées

  Capacité de jonction:Faible capacité de jonction

  Lumière élevée:Les semi-conducteurs de puissance haute tension se caractérisent par leur capacité à gérer efficacem

  Contactez
• 

  Semi-conducteur à haute puissance de canal N TO-220F avec résistance à haute température

  Efficacité:Haute efficacité

  Capacité de jonction:Faible capacité de jonction

  Lumière élevée:Les semi-conducteurs de puissance haute tension se caractérisent par leur capacité à gérer efficacem

  Contactez
• 

  Puissance élevée faible fuite N canal IGBT résistant à haute température

  Voltage:Haute tension

  Lumière élevée:Les semi-conducteurs de puissance haute tension se caractérisent par leur capacité à gérer efficacem

  Faillite:Basse fuite

  Contactez
• 

  Semi-conducteur à haute puissance de canal TO-247 N pour chargeur

  Efficacité:Haute efficacité

  Capacité de jonction:Faible capacité de jonction

  Résistance à la température:Résistance aux températures élevées

  Contactez