Aperçu Produits SBD au carbure de silicium

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Name: SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Tous les produits

Invertisseur IGBT
(37)

IGBT à haute puissance
(38)

Transistor MOSFET de puissance élevée
(48)

MOSFET à super jonction
(48)

MOSFET basse tension
(81)

Transistor MOSFET à haute tension
(54)

Diodes de barrière de Schottky
(80)

Diodes de récupération rapide
(49)

Faible fréquence VF Schottky
(65)

Semi-conducteurs à haute puissance
(28)

MOSFET en carbure de silicium
(21)

SBD au carbure de silicium
(21)

Certificat

Examens de client

Excellent produit, exactement comme décrit, expédition rapide et excellent service.

—— - Je ne sais pas.

très rapide, bien emballé et ces câbles sont définitivement de haute qualité! n'ai pas acheté ailleurs et continuera à obtenir mes câbles de ce vendeur! AAA+++

—— - Je sais.

Excellent service comme d'habitude, j'ai acheté plusieurs fois chez ce vendeur.

—— Je suis Sophie.

Je suis en ligne une discussion en ligne

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Image Grand : SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Chine
Nom de marque:	LX
Certification:	Rohs,Reach,SGS,ISO9001,ISO14001,IATF16949
Documents:	About Lingxun(1).pdf

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	Demandez
Prix:	Inquire
Détails d'emballage:	Tube+Carton
Délai de livraison:	2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Conditions de paiement:	T/T à l'avance (EXW)
Capacité d'approvisionnement:	600KK par an

Contact

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

description de

Type de dispositif:

Diode de barrière Sic Schottky

Vitesse de changement:

Commutation à grande vitesse

Applications:

SMPS, onduleur solaire, centre de données, alimentation

Les avantages:

Exigences de faible dissipation de chaleur

Mettre en évidence:

Centre de données SBD au carbure de silicium

Le carbure de silicium SBD à haute tension de rupture

SIC SBD du centre de données

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Caractéristiques

·Récupération inverse négligeable

·Current de surtension élevée

·Coefficient de température positif

·Fréquence plus élevée

·sans halogène / conforme à la directive RoHS

Applications

·SMPS

·Invertisseur solaire

·Centre de données

·UPS

Les avantages

·Commutation à grande vitesse

·Faibles exigences en matière de dissipation de chaleur

·Réduire la taille et le coût du système

·Haute fiabilité

Produit Tag:

Le SIC SBD,

Diodes de barrière SIC Schottky,

SBD au carbure de silicium

Coordonnées

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Personne à contacter: Mrs. Qinqin

Téléphone: +8618988720515

Télécopieur: 86-189-8872-0515

Autres Produits

SBD au carbure de silicium de haute fiabilité pour le conducteur de moteur industriel

Le pouvoir: Le pouvoir suprême

Résistance à la chaleur: Résistance aux températures élevées

Lumière élevée: La haute conductivité thermique et la résistance à haute température des diodes au carbure de silici

Matériel: Carbure de silicium

Diodes de barrière à carbure de silicium de puissance Schottky pour four électrique

Fréquence: Fréquence élevée

Le pouvoir: Le pouvoir suprême

Efficacité: Haute efficacité

Matériel: Carbure de silicium

Électronique Carbure de silicium SBD Discrets de puissance pour le circuit d'alimentation

Type de dispositif: Dispositifs discrets de puissance

Matériel: Carbure de silicium

Le pouvoir: Le pouvoir suprême

Lumière élevée: Les diodes de carbure de silicium peuvent être utilisées pour la rectification, la protection et la

Diodes de barrière à carbure de silicium SIC Schottky TO-247AC pour onduleur solaire

Le pouvoir: Le pouvoir suprême

Lumière élevée: Les diodes au carbure de silicium sont utilisées dans les systèmes photovoltaïques solaires pour con

Matériel: Carbure de silicium

Fréquence: Fréquence élevée

SBD au carbure de silicium à faible perte pour alimentation en électricité PC d'éclairage LED

Type de dispositif: Dispositifs discrets de puissance

Lumière élevée: L'application de diodes de carbure de silicium dans l'alimentation du serveur et de l'alimentation d

Le pouvoir: Le pouvoir suprême

Efficacité: Haute efficacité

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Invertisseur IGBT

IGBT à haute puissance

Transistor MOSFET de puissance élevée

MOSFET à super jonction

MOSFET basse tension

Transistor MOSFET à haute tension

Diodes de barrière de Schottky

Diodes de récupération rapide

Faible fréquence VF Schottky

Semi-conducteurs à haute puissance

MOSFET en carbure de silicium

SBD au carbure de silicium

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

Centre de données SBD au carbure de silicium

Le carbure de silicium SBD à haute tension de rupture

SIC SBD du centre de données

Le SIC SBD,

Diodes de barrière SIC Schottky,

SBD au carbure de silicium

SBD au carbure de silicium de haute fiabilité pour le conducteur de moteur industriel

Diodes de barrière à carbure de silicium de puissance Schottky pour four électrique

Électronique Carbure de silicium SBD Discrets de puissance pour le circuit d'alimentation

Diodes de barrière à carbure de silicium SIC Schottky TO-247AC pour onduleur solaire

SBD au carbure de silicium à faible perte pour alimentation en électricité PC d'éclairage LED

SBD au carbure de silicium

Diodes de barrière à carbure de silicium de puissance Schottky pour four électrique

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

SBD à carbure de silicium industriel polyvalent pour soudage

Invertisseur IGBT

15A 1200V Inverter IGBT court-circuit résiste au temps 10μS pour le conducteur de moteur

Invertisseur fiable et robuste mode d'amélioration IGBT N canal

Transistor multifonctionnel IGBT pour une application OBC