Aperçu Produits

MOSFET à super jonction

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Invertisseur solaire Super Junction Mos Mosfét de refroidissement à haute puissance pour charger la pile

70A 650V 38mΩ Si MOSFET à super jonction avec diode de récupération rapide

N Channel Super Junction MOSFET Surface Mount High Frequency Switching MOS refroidisseur

Chine MOSFET à super jonction

650V Smartphones Moins de résistance sur la super jonction Mosfet Pour le PFC

Marge d'IEM:Grande EMI Margin

Produit de fabrication:Lingxun

Application du projet:Énergies de télécommunications/serveurs
Dispositifs discrets à puissance stable avec une résistance ultra-faible et une marge EMI importante

Lumière élevée:100% Avalanche testé RON*A beaucoup plus bas pour l'efficacité en état

Application du projet:Énergies de télécommunications/serveurs

Le type:N
Dispositifs discrets de télécommunication à super jonction MOSFET type N

Lumière élevée:100% Avalanche testé RON*A beaucoup plus bas pour l'efficacité en état

Marge d'IEM:Grande EMI Margin

Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance
Mosfet de super jonction de type N pour les sources d'alimentation de télécommunications / serveurs

Le type:N

Marge d'IEM:Grande EMI Margin

Application du projet:Les télécommunications et les serveurs
MOSFET électronique à super jonction avancée dans les alimentations électriques ininterrompues

Lumière élevée:100% Avalanche testé RON*A beaucoup plus bas pour l'efficacité en état

Application du projet:Énergies de télécommunications/serveurs

Marge d'IEM:Grande EMI Margin
Énergies télécoms / serveurs Sj Mosfet Hautes performances

Le type:N

Produit de fabrication:Lingxun

Lumière élevée:100% Avalanche testé RON*A beaucoup plus bas pour l'efficacité en état
7A 650V Marge EMI élevée N-canal MOSFET LC65R600F

Application du projet:Énergies de télécommunications/serveurs

Produit de fabrication:Lingxun

Marge d'IEM:Grande EMI Margin
20A 650V Super Junction Mos Pour les sources d'alimentation des serveurs télécom

Lumière élevée:100% Avalanche testé RON*A beaucoup plus bas pour l'efficacité en état

Produit de fabrication:Lingxun

Type de dispositif:Dispositifs discrets de puissance
Puissance Marge EMI élevée Super Mosfet 100% Avalanche testé

Le type:N

Marge d'IEM:Grande EMI Margin

Produit de fabrication:Lingxun
4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet basse résistance sur le transistor HV

Identifiant:4a

Tension de Drain-source:Pour les appareils électriques

Le type RDSON VGS=10V:880 mΩ
Si MOSFET à super jonction à courant élevé Mos 47A 600V 68mΩ

Identifiant:47A

Tension de Drain-source:600 V

Le type RDSON VGS=10V:68 mΩ
20A 650V 150mΩ MOSFET à super jonction basse Ciss pour les alimentations électriques

Identifiant:20A

Tension de Drain-source:Pour les appareils électriques

Le type RDSON VGS=10V:150mΩ

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MOSFET en carbure de silicium
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SBD au carbure de silicium

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SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

SBD à carbure de silicium industriel polyvalent pour soudage

Invertisseur IGBT

15A 1200V Inverter IGBT court-circuit résiste au temps 10μS pour le conducteur de moteur

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