Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd plan du site

Invertisseur IGBT

• Transistor bipolaire à porte multifonctionnelle IGBT 60KHz pour l'alimentation électrique par commutation
• 15A 1200V Inverter IGBT court-circuit résiste au temps 10μS pour le conducteur de moteur
• Transistor multifonctionnel IGBT pour une application OBC
• Invertisseur fiable et robuste mode d'amélioration IGBT N canal

IGBT à haute puissance

• Servo Drive Haute puissance IGBT bas collecteur pour émettre la tension de saturation
• 650V-1200V TO-247 IGBT à haute puissance multifonctionnelle pour contrôle industriel
• Basse fréquence VCE Haute puissance IGBT Vitesse de commutation plus rapide pour la centrale électrique portable
• IGBT à haute puissance améliorée pour le contrôle et la conversion de la puissance

Transistor MOSFET de puissance élevée

• MOSFET de puissance haute tension à commutation à haute tension
• MOSFET haute impédance d'entrée haute tension pour l'alimentation électrique de commutation
• Circuits électroniques MOSFET à haute puissance pour moteurs
• Commutateurs Circuits Alimentation Haute Tension Pour Interrupteurs de Puissance

MOSFET à super jonction

• Dispositifs discrets de puissance à faible résistance SJ MOS pour l'éclairage
• Test d'avalanche 100% MOSFET de super jonction pour les sources d'alimentation des serveurs de télécommunications
• Commutation rapide de super jonction MOSFET Mousse froide pour la pile de charge
• Dispositifs discrets de puissance Supper Junction MOSFET pour le pilote LED

MOSFET basse tension

• 160A 60V MOSFET à basse tension pour le commutateur de charge
• TO-220C LT50N06AP basse tension de seuil Mosfet N canal
• 50A 100V basse tension de sortie Mosfet LG50N10AP
• LG80N10AF 100V TO-220F MOSFET basse tension pour la protection des piles

Transistor MOSFET à haute tension

• 11A400V CS11N40A1 MOSFET haute tension à 220AB
• 5A600V CS5N60A2 Mosfet à haute vitesse de commutation pour les sources d'alimentation en mode commutateur
• 8A500V CS8N50A2 TO-220F MOSFET haute tension pour le circuit de commutation électrique
• 9A500V CS9N50A2 TO-220F Transistors de puissance à haute tension Mosfet N

Diodes de barrière de Schottky

• MBR10150DC 10A150V TO-263 rectificateur de barrière Schottky basse tension avant pour l'alimentation électrique
• MBR10200DC 10A200V TO-263 Diodes de barrière Schottky protégeant contre la surtension
• SBT30L150DC 30A150V Diode de barrière Schottky TO-263 Haute efficacité pour l'alimentation électrique
• 20A45V MBR2045DC TO-263 Diode de barrière Schottky pour la lumière et les connecteurs

Diodes de récupération rapide

• MUR1560 Diodes de récupération 1A 600V Capacité de commutation ultra rapide Rohs
• 16A400V à 220F Diodes de récupération rapide 15-35ns pour le rectificateur de puissance MUR1640FCT
• Récupérer MUR1060 Diodes de récupération rapide 15-35ns
• Diodes de récupération rapide 20A200V pour les systèmes de stockage de données TO-220F MUR2020FCT

Faible fréquence VF Schottky

• 10A 200V HBT10L200 100% cuivre pur Diodes ultra basse tension Vf / très basse tension avant Diode TO-220AB
• 10A HBT10L200SFCT Diodes à basse fréquence avec paquet TO-220F
• 20V600A Diodes Schottky à courant élevé à basse fréquence VF pour l'éclairage LED SBM20V60FCT TO-220F
• 20A300V basse fréquence Schottky Panneau solaire configurations TO-220F HBM20L300FCT

Semi-conducteurs à haute puissance

• Faible fuite Des dispositifs discrets à haute puissance de semi-conducteurs améliorent l'efficacité énergétique
• N Semiconducteur haute tension TO-251 avec performance thermique améliorée
• Tolérance à haute tension, semi-conducteur TO-220F pour convertisseur de puissance
• Semi-conducteur de puissance résistant à haute température avec faible capacité de jonction