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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de puissance élevée

MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires

Certificat
Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certifications
Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certifications
Examens de client
Excellent produit, exactement comme décrit, expédition rapide et excellent service.

—— - Je ne sais pas.

très rapide, bien emballé et ces câbles sont définitivement de haute qualité! n'ai pas acheté ailleurs et continuera à obtenir mes câbles de ce vendeur! AAA+++

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Excellent service comme d'habitude, j'ai acheté plusieurs fois chez ce vendeur.

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MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires

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N Channel High Power MOSFET 7A 600V 530mΩ For Solar Inverters
MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires

Image Grand :  MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: Lingxun
Certification: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Numéro de modèle: Le numéro de série LC65R600
Documents: About Lingxun(1).pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Selon vos exigences.
Prix: According to your order requirement
Détails d'emballage: Confirmer le colis sur la base du numéro de pièce
Délai de livraison: Selon vos exigences.
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 600KK par an

MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires

description de
Identifiant: 7A VDSS: 600 V
Le type RDSON VGS=10V: 530 mΩ Caractéristiques: Faible charge de la porte, très faible perte de commutation et de conduction, extrêmement haute robu
Applications: Invertisseurs solaires, téléviseurs LCD/LED/PDP, alimentation en télécommunications/serveurs, alimen
Mettre en évidence:

MOSFET à haute puissance de canal N

,

MOSFET à haute puissance 7A

,

MOSFET à haute puissance 600V

N-canal MOSFET de refroidissement à haute puissance 7A 600V 530mΩ Pour les onduleurs solaires

 

MOSFET à super jonction N-canal

 

Nom de la pièce: LC65R600F

 

Le paquet: TO-220F

 

Principales caractéristiques
Je suis...D:7A
VLe DSS:600 V
Le type RDSON VGS=10V:530mΩ
 
 
Caractéristiques
• Faible charge de la porte
• Faible RDS (allumée) par zone de puce (faible FOM)
• très faible perte de commutation et de conduction
• Résistance à la commutation extrêmement élevée
 
Applications
• Invertisseurs solaires
• Téléviseur LCD/LED/PDP
• Énergies de télécommunications/serveurs
• alimentation en courant alternatif
 
MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires 0
 
MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires 1
MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires 2
 
MOSFET à haute puissance 7A 600V 530mΩ pour les onduleurs solaires 3
 
 
 
 

Q1. Qui sommes-nous?

R: Nous sommes basés à Guangdong, en Chine, l'usine démarre en 2012, est une entreprise nationale de haute technologie qui se concentre sur l'emballage et les tests de dispositifs de semi-conducteurs de puissance.Actuellement a plus de 180 a plus de 180 employés et plus de 10000 mètres carrés de surfaceNous fournissons plus de 600 KK de dispositifs de semi-conducteurs de haute qualité par an.

 

Q2.Quelle est votre gamme de produits?

R:Les principales lignes de production existantes sont les suivantes: Schottky,Schottky à basse fréquence,Diodes de récupération rapide, Mosfet haute tension, Mosfet moyenne et basse tension, Mosfet à super jonction, IGBT,Diode de barrière à SiC et à SiC Mosfet, etc..

 

Q3.Quelle est l'application de votre produit?

A: Largement utilisé dans divers domaines tels que les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage LED, les moteurs sans pinceau, la gestion des batteries au lithium, les onduleurs, le stockage d'énergie et la pile de charge, etc.

 

Q4.Quel est votre avantage concurrentiel?

A: Je suis désolé.1Nous avons notre propre usine d'assemblage et d'essai, un investissement fixe de plus de 70 millions de yuans.fournir plus de 600KK de dispositifs de puissance de semi-conducteurs par an.

2.Avantages du service,un système d'approvisionnement stable,un approvisionnement durable et stable des produits.Notre propre laboratoire peut coopérer rapidement et efficacement à la validation.

3. Assurance de la qualité,La plus grande usine numérique du système MES dans le domaine de l'emballage et des tests, certifiée par ISO9001 version 2015 et IATF16949.

4. Amélioration des produits,Recherche continue et développement de nouvelles spécifications et formes d'emballage pour répondre aux besoins d'application de plus de clients.

 

Q5.Quelles sont vos conditions d'emballage?

R:Habituellement,les différents emballages ont des emballages différents.TO-252/263 est en bobine + sac scellé + boîte intérieure + carton.TO-220/247 est en tube + boîte intérieure + carton.

 

Q6.Quelle est votre MOQ?

A: Nous fournissons des échantillons pour chaque article. MOQ dépend de votre quantité de commande.

 

Q7.Quelle est votre garantie qualité?

R: Offrir des échantillons pour les tests. Assurez-vous que le produit en vrac est conforme à l'échantillon. S'il y a un changement, l'échantillon sera à nouveau fourni pour les tests.Test et vérification à 100% de tous les produits avant livraison.

 

Le Q8.Vous acceptez la personnalisation?

A: Oui, envoyez-moi votre demande!

 

Q9.Comment vous contacter?

R:Envoyez vos détails de demande dans le formulaire ci-dessous, cliquez sur Envoyer, MAINTENANT!!!

Si vous avez d'autres questions, n'hésitez pas à nous contacter.

 

 

Coordonnées
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Personne à contacter: Mrs. Qinqin

Téléphone: +8618988720515

Télécopieur: 86-189-8872-0515

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)