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Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque

Certificat
Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certifications
Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certifications
Examens de client
Excellent produit, exactement comme décrit, expédition rapide et excellent service.

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très rapide, bien emballé et ces câbles sont définitivement de haute qualité! n'ai pas acheté ailleurs et continuera à obtenir mes câbles de ce vendeur! AAA+++

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Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque

Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque
Silicon Carbide Schottky Barrier Diode For Photovoltaic Inverter
Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque

Image Grand :  Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: Lingxun
Certification: ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documents: About Lingxun(1).pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Confirmer la quantité sur la base du numéro de pièce
Prix: Confirm price based on part number
Détails d'emballage: Confirmer le colis sur la base du numéro de pièce
Délai de livraison: Je confirme.
Conditions de paiement: Paiement de T/T
Capacité d'approvisionnement: 600KK par an

Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque

description de
Le pouvoir: Le pouvoir suprême Matériel: Carbure de silicium
Type de dispositif: Dispositifs discrets de puissance Fréquence: Fréquence élevée
Efficacité: Haute efficacité Résistance à la chaleur: Résistance aux températures élevées
Mettre en évidence:

Diode de barrière Schottky

,

Invertisseur photovoltaïque SIC Diode de barrière Schottky

,

Diode de barrière Schottky au carbure de silicium

Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque

Description du produit:

L'une des caractéristiques clés des SBD en carbure de silicium est leur résistance à haute température.les rendant idéales pour une utilisation dans des applications industrielles où une haute conductivité thermique est requiseCela les rend également adaptés à une utilisation dans les systèmes d'énergie renouvelable, où ils peuvent résister à des températures élevées et à des conditions environnementales difficiles.
En tant que dispositifs discrets de puissance, les SBD en carbure de silicium sont conçus pour gérer des niveaux de puissance et de tension élevés.qui offre des performances supérieures par rapport aux autres matériauxLe carbure de silicium a une large bande passante, ce qui permet une tension de rupture plus élevée et un courant de fuite plus faible, ce qui entraîne moins de pertes de puissance et une efficacité globale améliorée.
En résumé, les SBD en carbure de silicium sont un excellent choix pour les applications à haute fréquence nécessitant une tension de rupture élevée, une faible charge de récupération inverse et une vitesse de commutation rapide.Ils sont également très résistants aux températures élevées et aux radiations., ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les systèmes industriels et les énergies renouvelables.Les SBD en carbure de silicium sont une pierre angulaire de la technologie électronique de puissance moderne.

 

Caractéristiques:

  • Nom du produit: SBD au carbure de silicium
  • Haute luminosité: Les diodes de carbure de silicium se distinguent par leur haute tension de rupture, leur faible charge de récupération inverse, leur vitesse de commutation rapide et leur robustesse contre les températures et les rayonnements élevés.Leurs applications s'étendent à différentes industries, des véhicules électriques et des systèmes d'énergie renouvelable aux entraînements industriels et aux appareils électroniques grand public, ce qui en fait une pierre angulaire de la technologie électronique de puissance moderne.
  • Puissance: haute puissance
  • Matériau: carbure de silicium
  • Fréquence: Haute fréquence
  • Type d'appareil: appareils discrets en puissance
  • Caractéristiques:
    • La longévité
    • Puissance élevée pour des applications exigeantes
    • Conçus pour une utilisation à haute fréquence
    • Idéal pour l'électronique de puissance
    • Robustesse contre les températures élevées et les rayonnements
    • Bien adapté aux applications de l'électronique grand public
 

Paramètres techniques:

Type de dispositif Dispositifs discrets en puissance
Matériel Carbure de silicium
Le pouvoir Très haut
Fréquence Très haut
Résistance à la chaleur Résistance aux températures élevées
Efficacité Haute efficacité
Lumière élevée Les diodes de carbure de silicium se distinguent par leur tension de rupture élevée, leur faible charge de récupération inverse, leur vitesse de commutation rapide et leur robustesse contre les températures et les radiations élevées.Leurs applications s'étendent à différentes industries, des véhicules électriques et des systèmes d'énergie renouvelable aux entraînements industriels et aux appareils électroniques grand public, ce qui en fait une pierre angulaire de la technologie électronique de puissance moderne.
 

Applications:

Grâce à sa résistance à haute température et à sa haute fréquence, le SBD en carbure de silicium Lingxun est parfait pour une utilisation dans les systèmes ferroviaires, où la durabilité et les performances sont cruciales.Sa conception robuste et sa résistance thermique supérieure en font un choix fiable pour les applications dans l'automobile, aérospatiale et électronique de puissance.
Le Lingxun Silicon Carbide SBD est livré avec des certifications ISO9001, ISO14001, ROHS et REACH, garantissant sa sécurité et sa qualité.et les détails de l'emballage peuvent être confirmés sur demande.
La capacité d'approvisionnement du produit est de 600KK/an, et le délai de livraison peut être confirmé au moment de l'achat.et le Lingxun Silicon Carbide SBD est disponible pour une variété de scénarios et occasions.
L'investissement dans le Lingxun Silicon Carbide SBD signifie investir dans une efficacité et une longévité élevées.Contactez-nous aujourd'hui pour en savoir plus sur ce dispositif de haute qualité et comment il peut bénéficier à vos opérations.
 
 Diode de barrière à carbure de silicium Schottky pour onduleur photovoltaïque 0
 
 

Q1. Qui sommes-nous?

R: Nous sommes basés à Guangdong, en Chine, l'usine démarre en 2012, est une entreprise nationale de haute technologie qui se concentre sur l'emballage et les tests de dispositifs de semi-conducteurs de puissance.Actuellement a plus de 180 a plus de 180 employés et plus de 10000 mètres carrés de surfaceNous fournissons plus de 600 KK de dispositifs de semi-conducteurs de haute qualité par an.

 

Q2.Quelle est votre gamme de produits?

R:Les principales lignes de production existantes sont les suivantes: Schottky,Schottky à basse fréquence,Diodes de récupération rapide, Mosfet haute tension, Mosfet moyenne et basse tension, Mosfet à super jonction, IGBT,Diode de barrière à SiC et à SiC Mosfet, etc..

 

Q3.Quelle est l'application de votre produit?

A: Largement utilisé dans divers domaines tels que les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage LED, les moteurs sans pinceau, la gestion des batteries au lithium, les onduleurs, le stockage d'énergie et la pile de charge, etc.

 

Q4.Quel est votre avantage concurrentiel?

A: Je suis désolé.1Nous avons notre propre usine d'assemblage et d'essai, un investissement fixe de plus de 70 millions de yuans.fournir plus de 600KK de dispositifs de puissance de semi-conducteurs par an.

2.Avantages du service,un système d'approvisionnement stable,un approvisionnement durable et stable des produits.Notre propre laboratoire peut coopérer rapidement et efficacement à la validation.

3. Assurance de la qualité,La plus grande usine numérique du système MES dans le domaine de l'emballage et des tests, certifiée par ISO9001 version 2015 et IATF16949.

4. Amélioration des produits,Recherche continue et développement de nouvelles spécifications et formes d'emballage pour répondre aux besoins d'application de plus de clients.

 

Q5.Quelles sont vos conditions d'emballage?

R:Habituellement,les différents emballages ont des emballages différents.TO-252/263 est en bobine + sac scellé + boîte intérieure + carton.TO-220/247 est en tube + boîte intérieure + carton.

 

Q6.Quelle est votre MOQ?

A: Nous fournissons des échantillons pour chaque article. MOQ dépend de votre quantité de commande.

 

Q7.Quelle est votre garantie qualité?

R: Offrir des échantillons pour les tests. Assurez-vous que le produit en vrac est conforme à l'échantillon. S'il y a un changement, l'échantillon sera à nouveau fourni pour les tests.Test et vérification à 100% de tous les produits avant livraison.

 

Le Q8.Vous acceptez la personnalisation?

A: Oui, envoyez-moi votre demande!

 

Q9.Comment vous contacter?

R:Envoyez vos détails de demande dans le formulaire ci-dessous, cliquez sur Envoyer, MAINTENANT!!!
Si vous avez d'autres questions, n'hésitez pas à nous contacter.

Coordonnées
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Personne à contacter: Mrs. Qinqin

Téléphone: +8618988720515

Télécopieur: 86-189-8872-0515

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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