Diode de récupération rapide de 15-35ns pour modulateur de largeur d'impulsion PWM

Description du produit:

Nos diodes de récupération rapide ont une faible tension avant et un faible courant de fuite, ce qui les rend très efficaces et rentables.qui est essentiel pour les applications à haute puissanceCes diodes sont conformes à la directive RoHS, ce qui signifie qu'elles répondent aux dernières normes environnementales pour les matières dangereuses.
Nos diodes de récupération rapide sont disponibles dans des emballages sans Pb, ce qui garantit leur sécurité et leur écologie.les rendant adaptés à une large gamme d'applications.
Le temps de récupération inverse de nos diodes de récupération rapide est compris entre 15 et 35 ns, soit le temps nécessaire à la diode pour passer de l'état de conduction avant à l'état de blocage inverse.Cela garantit que les diodes sont rapides et efficaces, ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les circuits à grande vitesse.
En résumé, nos diodes de récupération rapide sont des diodes haute tension qui sont conçues pour offrir une faible tension avant, une capacité de courant élevé et une capacité de courant de surtension élevée.Ils sont conformes à la directive RoHS et sont disponibles dans des emballages sans PbIls ont une plage de température de fonctionnement de -55°C à +175°C et sont adaptés à un large éventail d'applications.Leur temps de récupération inverse rapide garantit leur efficacité et leur fiabilité., ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les circuits à grande vitesse.

Caractéristiques:

• Nom du produit: Diodes à récupération rapide
• Application: Principalement utilisée pour la rectification, utilisée dans les équipements à haute puissance, les diodes de récupération express et ultra-rapides conviennent respectivement aux circuits haute fréquence et ultra-haute fréquence.
• Plage de température de fonctionnement: -55°C à +175°C
• Type: Diode à récupération rapide
• Haute luminosité: basse tension avant, faible courant de fuite, paquetage sans Pb. Haute efficacité, basse fréquence VF, haute capacité de courant ● haute capacité de courant de surtension, faible perte de puissance, conforme à la RoHS
• Temps de récupération inverse: 15 à 35 ns
• Caractéristiques:
  • Diode rectificateur à récupération rapide
  • Éclairage à LED
  • Convertisseurs de mode de commutation

Paramètres techniques:

Applications:

Ces diodes de récupération rapide ont une capacité de courant de surtension élevée et une faible perte de puissance.Le temps de récupération inverse pour ces diodes est de 15-35ns, ce qui les rend adaptés à une variété d'applications.
Ces diodes sont principalement utilisées pour la rectification et sont idéales pour une utilisation dans des équipements de haute puissance.Les diodes de récupération express et ultra-rapides conviennent aux circuits à haute fréquence et à ultra-haute fréquence, respectivement.
Les diodes de récupération rapide de Lingxun sont polyvalentes et peuvent être utilisées dans une variété de scénarios.qui sont courants dans les circuits de commande moteurIls peuvent également être utilisés dans les communications sans fil, où des vitesses de commutation rapides sont requises.
Lingxun a une capacité d'approvisionnement de 600KK/an pour ces diodes. Le délai de livraison dépendra de la quantité et du numéro de pièce commandé. Les conditions de paiement sont le paiement T/T.
 

 

Q1. Qui sommes-nous?

R: Nous sommes basés à Guangdong, en Chine, l'usine démarre en 2012, est une entreprise nationale de haute technologie qui se concentre sur l'emballage et les tests de dispositifs de semi-conducteurs de puissance.Actuellement a plus de 180 a plus de 180 employés et plus de 10000 mètres carrés de surfaceNous fournissons plus de 600 KK de dispositifs de semi-conducteurs de haute qualité par an.

Q2.Quelle est votre gamme de produits?

R:Les principales lignes de production existantes sont les suivantes: Schottky,Schottky à basse fréquence,Diodes de récupération rapide, Mosfet haute tension, Mosfet moyenne et basse tension, Mosfet à super jonction, IGBT,Diode de barrière à SiC et à SiC Mosfet, etc..

Q3.Quelle est l'application de votre produit?

A: Largement utilisé dans divers domaines tels que les adaptateurs d'alimentation, l'éclairage LED, les moteurs sans pinceau, la gestion des batteries au lithium, les onduleurs, le stockage d'énergie et la pile de charge, etc.

Q4.Quel est votre avantage concurrentiel?

A: Je suis désolé.1Nous avons notre propre usine d'assemblage et d'essai, un investissement fixe de plus de 70 millions de yuans.fournir plus de 600KK de dispositifs de puissance de semi-conducteurs par an.

2.Avantages du service,un système d'approvisionnement stable,un approvisionnement durable et stable des produits.Notre propre laboratoire peut coopérer rapidement et efficacement à la validation.

3. Assurance de la qualité,La plus grande usine numérique du système MES dans le domaine de l'emballage et des tests, certifiée par ISO9001 version 2015 et IATF16949.

4. Amélioration des produits,Recherche continue et développement de nouvelles spécifications et formes d'emballage pour répondre aux besoins d'application de plus de clients.

Q5.Quelles sont vos conditions d'emballage?

R:Habituellement,les différents emballages ont des emballages différents.TO-252/263 est en bobine + sac scellé + boîte intérieure + carton.TO-220/247 est en tube + boîte intérieure + carton.

Q6.Quelle est votre MOQ?

A: Nous fournissons des échantillons pour chaque article. MOQ dépend de votre quantité de commande.

Q7.Quelle est votre garantie qualité?

R: Offrir des échantillons pour les tests. Assurez-vous que le produit en vrac est conforme à l'échantillon. S'il y a un changement, l'échantillon sera à nouveau fourni pour les tests.Test et vérification à 100% de tous les produits avant livraison.

Le Q8.Vous acceptez la personnalisation?

A: Oui, envoyez-moi votre demande!

Q9.Comment vous contacter?

R:Envoyez vos détails de demande dans le formulaire ci-dessous, cliquez sur Envoyer, MAINTENANT!!!
Si vous avez d'autres questions, n'hésitez pas à nous contacter.