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Aperçu ProduitsIGBT à haute puissance

Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

Certificat
Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certifications
Chine Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd certifications
Examens de client
Excellent produit, exactement comme décrit, expédition rapide et excellent service.

—— - Je ne sais pas.

très rapide, bien emballé et ces câbles sont définitivement de haute qualité! n'ai pas acheté ailleurs et continuera à obtenir mes câbles de ce vendeur! AAA+++

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Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence
N-Channel Enhancement Mode High Power IGBT For Frequency Converter
Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

Image Grand :  Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: Lingxun
Certification: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documents: About Lingxun(1).pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Selon vos exigences.
Prix: According to your order requirement
Détails d'emballage: Tube+Carton
Délai de livraison: Selon vos exigences.
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 600KK par an

Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence

description de
Vitesse de changement: Vitesse de commutation plus rapide Nom du produit: IGBT à haute puissance
Application du projet: OBC, pile de charge, machine à souder, alimentation électrique par commutation, onduleur photovoltaï avantages: Conception de plateau étroit, conception de combinaison de rainures plus optimisée, conception de fi
Type de dispositif: IGBT le paquet: TO-247
Mettre en évidence:

IGBT à haute puissance

,

Convertisseur de fréquence IGBT haute puissance

,

Mode d'amélioration IGBT haute puissance

MOSFET multifonctionnel basse tension pour la gestion de l'énergie

 

Caractéristiques
• Coefficient de température positif
• Commutation à grande vitesse
• Faible tension de saturation du collecteur à l'émetteur
• Facilité de commutation parallèle
• Le court-circuit résiste à 10 μs
• Des performances de résistance élevées

 

Applications
• Une centrale électrique portable
• conducteur automobile
 
Le paquet:
TO-247
 
 
 
Mode d'amélioration du canal N IGBT haute puissance pour convertisseur de fréquence 0
 

Coordonnées
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Personne à contacter: Mrs. Qinqin

Téléphone: +8618988720515

Télécopieur: 86-189-8872-0515

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