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IGBT à haute puissance
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Transistor MOSFET de puissance élevée
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Certificat

Examens de client

Excellent produit, exactement comme décrit, expédition rapide et excellent service.

—— - Je ne sais pas.

très rapide, bien emballé et ces câbles sont définitivement de haute qualité! n'ai pas acheté ailleurs et continuera à obtenir mes câbles de ce vendeur! AAA+++

—— - Je sais.

Excellent service comme d'habitude, j'ai acheté plusieurs fois chez ce vendeur.

—— Je suis Sophie.

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recovery diode fabrication en ligne

(578)

Semi-conducteur à haute puissance de canal N TO-220F avec résistance à haute température
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2025-02-08 09:44:32

Semi-conducteurs à haute tension de canal N avec une faible capacité de jonction de fuite
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2025-02-08 09:44:33

MOSFET de puissance avec résistance à haute température, faible fuite et faible capacité de jonction
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2025-03-29 23:28:17

Faible fuite Faible capacité de jonction haute température résistance tension N-canal
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2025-03-29 23:28:22

Voltage IGBT à faible capacité de jonction pour les températures à faible fuite
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2025-03-29 23:28:22

Capacité de jonction basse puissance N-canal semi-conducteur
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2025-03-29 23:28:26

Résistance à haute température, faible fuite, faible capacité de jonction de type N, MOSFET pour une efficacité énergétique avancée
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2025-03-29 23:28:27

N Semiconducteur haute tension TO-251 avec performance thermique améliorée
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2025-02-08 09:44:27

Faible fuite Des dispositifs discrets à haute puissance de semi-conducteurs améliorent l'efficacité énergétique
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2025-02-08 09:44:28

Semi-conducteur de puissance résistant à haute température avec faible capacité de jonction
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2025-02-08 09:44:25

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SBD au carbure de silicium

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SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

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Invertisseur IGBT

15A 1200V Inverter IGBT court-circuit résiste au temps 10μS pour le conducteur de moteur

Invertisseur fiable et robuste mode d'amélioration IGBT N canal

Transistor multifonctionnel IGBT pour une application OBC