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Invertisseur IGBT
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IGBT à haute puissance
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Transistor MOSFET de puissance élevée
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MOSFET en carbure de silicium
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SBD au carbure de silicium
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Certificat

Examens de client

Excellent produit, exactement comme décrit, expédition rapide et excellent service.

—— - Je ne sais pas.

très rapide, bien emballé et ces câbles sont définitivement de haute qualité! n'ai pas acheté ailleurs et continuera à obtenir mes câbles de ce vendeur! AAA+++

—— - Je sais.

Excellent service comme d'habitude, j'ai acheté plusieurs fois chez ce vendeur.

—— Je suis Sophie.

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low vf schottky diode fabrication en ligne

(576)

15A 1200V Inverter IGBT court-circuit résiste au temps 10μS pour le conducteur de moteur
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2025-02-08 09:41:38

25A 1200V TO-247 Commutation à haute vitesse IGBT haute puissance pour onduleur général
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2025-02-08 09:41:56

TO-247 Mode d'amélioration Puissance IGBT 25A 1200V Capacité de courant élevé
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2025-02-08 09:41:47

Capacité de blocage à haute tension TO-247 IGBT 40A 1200V pour la conversion de puissance
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2025-02-10 09:39:52

Pour les SMPS, la température de refroidissement est de 4A 650V 880mΩ.
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2025-02-08 09:42:28

7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel à 220F Pour l'alimentation électrique
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2025-02-08 09:42:29

7A 650V 520mΩ TO-252 régulateur de commutation Mosfet à super jonction
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2025-02-08 09:42:28

Correction du facteur de puissance Super Junction MOSFET 11A 650V 350mΩ
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2025-02-08 09:42:28

MOSFET 11A 650V 350mΩ pour les convertisseurs
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2025-02-08 09:42:27

7A 650V Marge EMI élevée N-canal MOSFET LC65R600F
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2025-02-08 09:42:15

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SBD au carbure de silicium

Diodes de barrière à carbure de silicium de puissance Schottky pour four électrique

SBD de carbure de silicium à haute tension de rupture pour centre de données

SBD à carbure de silicium industriel polyvalent pour soudage

Invertisseur IGBT

15A 1200V Inverter IGBT court-circuit résiste au temps 10μS pour le conducteur de moteur

Invertisseur fiable et robuste mode d'amélioration IGBT N canal

Transistor multifonctionnel IGBT pour une application OBC